Дополнительные ссылки

Маренкин Сергей Федорович - д.х.н., профессор, главный научный сотрудник

Сергей Федорович Маренкин закончил Московский химико-технологический институт им. Д.И. Менделеева по специальности «материалы квантовой электроники». В 1969 г. поступил на работу в лабораторию химической термодинамики ИОНХ АН СССР. Кандидатскую диссертацию на тему «Синтез и свойства арсенидов и антимонидов кадмия» защитил в 1973 году, докторскую диссертацию на соискание ученой степени доктора химических наук  «Соединения цинка и кадмия с фосфором, мышьяком, сурьмой и эвтектические композиции на их основе, как новые полупроводниковые материалы для электронной техники» защитил в 1988 г.

Звание профессора С.Ф.Маренкин получил в 1993 г., а в 2003 г. избран академиком РАЕН. С.Ф. Маренкин награжден памятными медалями С.П.Королева, К.Э.Циолковского и В.Е.Грум-Гримайло.
 
Сергей Федорович Маренкин является признанным специалистом в области материаловедения полупроводников группы AIIBV. Им разработаны физико-химические основы синтеза монокристаллов арсенидов, фосфидов и антимонидов цинка и кадмия. За создание материалов и устройств электронной техники на основе полупроводников группы AIIBV он получил премию совета министров СССР в 1987 г.
 
В настоящее время он интенсивно занимается изучением нового класса разбавленных магнитных полупроводников и гранулированных структур на основе халькопиритов AIIBIVCV2, обладающих высокими температурами Кюри.
 
Научную деятельность Маренкин С.Ф. сочетает с педагогической работой в МИСиС. Он является профессором кафедры технологии электронных материалов и ведет лекционные курсы «Процессы микро- и нанотехнологии» и «Технология эпитаксиальных слоев и гетерокомпозиций». С.Ф. Маренкин является членом ученого совета ИОНХ РАН по защите докторских и кандидатских диссертаций.
 
Под его руководством защищены 11 кандидатских  диссертаций. Список печатных работ насчитывает более 200 наименований.
 
 
Основные печатные работы за последние 5 лет:
  1. L. Kilanski, K. Szałowski, R. Szymczak, M. Górska, E. Dynowska, P. Aleshkevych, A. Podgórni, A. Avdonin, W. Dobrowolski, I. V. Fedorchenko, S. F. Marenkin, Low-dilution limit of Zn1−XMnXGeAs2: Electrical and magnetic properties // J. Appl. Phys. 114, 093908 (2013)
  2. Pressure effect on the anomalies of the electric and magnetic properties of diluted magnetic semiconductor CdGeAs2 doped with Mn //Rasul Arslanov, Akhmedbek Mollaev, Ibragimkhan Kamilov, Temirlan Arslanov, Ullubiy Zalibekov, Vladimir Novotortsev, Sergey Marenkin, and Igor Troyanchuk // Phys. Status Solidi B 250, No. 4, 736–740 (2013) / DOI 10.1002/pssb.201200512
  3. Optical properties and plasmon – Two different phonons coupling in ZnGeAs2 + Mn / M. Romcevic, N. Romcevic, W. Dobrowolski, L. Kilanski, J. Trajic, D.V. Timotijevic,E. Dynowska, I.V. Fedorchenko, S.F. Marenkin, // Journal of Alloys and Compounds 548 (2013) 33–37. - ISSN: 0925-8388
  4. Магнитные и электрические свойства образцов Zn3P2+MnP /С.Ф. Маренкин, В.М. Трухан, И.В. Федорченко, С.В. Труханов, Т.В. Шелковая // Неогранические материалы, 2013, Т.49, №6, СС. 580-584. ISSN 0002-337X.
  5. Магнетизм полупроводников Cd(Zn)GeAs2, допированных 3-d  металлами / Кочура А.В., Иваненко С.В., Маренкин С.Ф., Федорченко И.В. // Известия ЮЗГУ. Серия Физика и химия. 2012. № 2, С.13, ISSN2223-1544
  6. Влияние преципитатов MnP на свойства композитных магнитных полупроводников на основе Zn3P2 и ZnGeP2 / Маренкин С.Ф., Кочура А.В., Иваненко С.В., Федорченко И.В. // Известия ЮЗГУ. Серия Физика и химия. 2012. № 2, С.95, ISSN2223-1544
  7. Advanced materials for spintronic based on Zn(Si,Ge)As2 chalcopyrites / I.V. Fedorchenko, A.V. Kochura, S.F. Marenkin, A.N. Aronov et al, // IEEE transactions on magnetics. – 2012. - Vol.48, № 4. April 2012. - P. 1581-1584. – ISSN 0018-9464.
  8. Электрические и магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Cd1-XMnXGeP2 и Cd1-XMnXGeAs2 при высоком давлении // А. Ю. Моллаев, И. К. Камилов, Р. К. Арсланов, В. М. Новоторцев, С. Ф. Маренкин, В. М. Трухан, Т. Р. Арсланов, У. З. Залибеков, И. В. Федорченко // Неорганические материалы. - 2012. - Т.48. - №9. С.990-994. ISSN 0002-337X.
  9. Электрические свойства n Cd1–ХCoХGeAs2 (x = 0.05–0.15) при высоких давлениях / А. Ю. Моллаев, Р. К. Арсланов, И. К. Камилов, В. М. Новоторцев, С. Ф. Маренкин, Р. Г. Джамамедов, П. П. Хохлачев, И. В. Федорченко.// Неогранические Материалы. - 2012. - Т.48. - № 11. - С. 1200–1204. ISSN 0002-337X.
  10. Электро- и магнетоперенос в разбавленном магнитном полупроводнике Cd0.81Mn0.19GeP2 при высоком давлении. / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, С.Ф. Маренкин, В.М. Трухан, Т.Р. Арсланов, У.З. Залибеков, И.В. Федорченко //Журнал неорганической химии. – 2012. – Т.57. - №7.- С. 1062-1065. - ISSN 0044-457X.
  11. Manganese-doped CdGeAs2, ZnGeAs2 and ZnSiAs2 chalcopyrites: A new materials for spintronic / L.I. Koroleva, D.M. Zashchirinskii, T.M. Khapaeva, A.I. Morozov, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko, R.Szymczak // Journal of magnetism and magnetic materials 323 (2011) 2923-2928. - ISSN: 0304-8853
  12. Paramagnetic regime in Zn1-XMnXGeAs2 diluted magnetic semiconductor / L. Kilanski, I. V. Fedorchenko, M. Górska, E. Dynowska, M. Wójcik, B. J. Kowalski, J. R. Anderson, C. R. Rotundu, S. A. Varnavskiy, W. Dobrowolski, S. F. Marenkin, // Physica status solidi (b), V.248> Issue7, p.1601-1604, 2011. - ISSN: 1521-3951
  13. Синтез и магнитные свойства эвтектики системы InSb-MnSb / В.М. Новоторцев, А.В. Кочура, С.Ф. Маренкин, И.В. Федорченко, С.В. Дрогунов, A. Lashkul, E. Lahderanta // ЖНХ 2011, Т56, №12, СС. 1-7. - ISSN 0044-457X.
  14. Влияние высоких давлений на электрические и магнитные свойства разбавленного магнитного полупроводника Cd0,82Mn0,18GeAs2 / Моллаев А.Ю., Камилов И.К., Маренкин С.Ф., Арсланов Р.К., Залибеков У.З., Арсланов Т.Р., Федорченко И.В. // Журнал неорганической химии. 2011. Т. 56. № 6. С. 980-983.
  15. Colossal linear magnetoresistance in a CdGeAs2:MnAs micro-composite ferromagnet / L. Kilanski, W. Dobrowolski, E. Dynowska, M. Wуjcik, B.J. Kowalski, N. Nedelko, A. Ślawska-Waniewska, D.K. Maude, S.A. Varnavskiy, I.V. Fedorchenko, S.F. Marenkin, // Solid State Communications 151 (2011) 870–873
  16. Объемная магнитострикция в разбавленном магнитном полупроводнике Cd1-XMnXGeAs2 (x=0,06-0,3) при высоких давлениях / Моллаев А.Ю., Камилов И.К., Арсланов Р.К., Новоторцев В.М., Маренкин С.Ф., Трухан В.М., Арсланов Т.Р., Залибеков У.З., Федорченко И.В. //Неорганические материалы. 2011. Т. 47. № 11. С. 1285-1288.
  17. Магнитные свойства ориентированных монокристаллов p-Cd0,947Mn0,053GeAs2 при давлении ниже 7 ГПа / Моллаев А.Ю., Камилов И.К., Арсланов Р.К., Новоторцев В.М., Маренкин С.Ф., Залибеков У.З., Арсланов Т.Р., Федорченко И.В. //Неорганические материалы. 2011. Т. 47. № 12. С. 1422.
  18. Магнитные свойства эвтектического сплава системы InSb-MnSb / Изотов А.Д., Маренкин С.Ф., Федорченко И.В., Румянцев А.С., Кочура А.В., Трухан В.М., Шелковая Т.В.// Перспективные материалы. 2011. № 11. С. 228-231.
  19. Manganese-doped CdGeAs2 and ZnSiAs2 chalcopyrites: new advanced materials for spintronics / A.S. Morozov, L.I. Koroleva, D.M. Zashchirinskii, T.M. Khapaeva, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko, R.Szymczak, B.Krzumanska // Solid State Phenomena, 2011, Vols.168-169, 2011, pp.31-34. - ISSN: 1662-9779
  20. Making ferromagnetic heterostructures Si/Zn(1-X)MnXSiAs2 and Ge/Zn(1-X)MnXGeAs2 / I.V. Fedorchenko, A.Rumiantsev, T. Kuprijanova, L.Kilanski, R.A.Szymczak, W.Dobrowolski, L.I.Koroleva // Solid State Phenomena, 2011, Vols.168-169, 2011, pp.313-316. - ISSN: 1662-9779
  21. Magnetism and magnetotransport of strongly disordered Zn1-XMnXGeAs2 semiconductor: The role of nanoscale magnetic clusters / L.Kilanski, R. Gorska, W. Dobrowolski, E. Dynowska , M. Wojcik, B.J. Kowalski, J.R. Anderson, C.R. Rotundu, D.K. Maude, S.A. Varnavskiy, I.V. Fedorchenko, S.F. Marenkin// Journal of Applied Physics 108, 073925 (2010) . - ISSN 1089-7550
  22. Physicochemical foundations of synthesis of the new ferromagnets form chalcopyrites AIIBIVCV2 / V.M. Novotortsev, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko, A.V. Kochura // Russian Journal of Inorganic Chemistry, 2010, Vol.55, No.11, pp.1762-1773
  23. Complex study of high temperature ferromagnetic semiconductor Cd0.82Mn0.18GeAs2 / A.Yu.Mollaev, I.K. Kamilov, R.K.Arslanov, T.R. Arslanov, U.Z.Zalibekov, V.M.Novotortsev, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko // Azerbaijan Journal of Physics, “Fizika”, Volume XVI, Number 2, June, 2010, pp.304. - ISSN 1028-8546
  24. New Ferromagnetics Based on Manganese Alloyed Chalcopyrites AIIBIVCV2 / V. M. Novotortseva, A. V. Kochuraa, and S. F. Marenkin // ISSN 0020[1]1685, Inorganic Materials, 2010, Vol. 46, No. 13, pp. 19–34.
  25. Electrical properties of p-Zn1-XCdXGeAs2 / A.Yu. Mollaev, L.A. Saipulaeva, S.F. Marenkin, A.G. Alibekov, A.A. Abdullaev, I.V. Fedorchenko // Inorganic materials, V.46, No 4, pp.449-451
  26. Manganese doped CdGeAs2, ZnGeAs2 and ZnSiAs2 chalcopyrites: New materials for spintronics /L.I. Koroleva, D.M. Zashchirinskii, T.M. Khapaeva, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko, S.A. Varnavskii, R.Szymczak, B.Krzumanska //Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, 2010, Vol.74, No.10, pp.1348-1351
  27. High-pressure magnetic phase transition and galvanomagnetic effects in the high-temperature ferromagnet p- Cd0.7Mn0.3GeAs2 / A.Yu.Mollaev, I.K. Kamilov, S.F. Marenkin, R.K.Arslanov, U.Z.Zalibekov, T.R. Arslanov, A.A. Abdullaev, I.V. Fedorchenko //Inorganic materials, 2010, Vol.46, no.9, pp.919-923
  28. Room-temperature ferromagnetism in novel Mn-doped ZnSiAs2 chalcopyrite / S.F .Marenkin, V.M. Novotortsev, I.V. Fedorchenko, S.A. Varnavskiy, L.I. Koroleva, D.M. Zashchirinskii, T.M. Khapaeva, R. Szymczak, B. Krzymanska, W. Dobrowolski, L. Kilanski // Journal of Physics: Conference Series 153, 2009, 012058
  29. Novel ferromagnetic Mn-doped ZnSiAs2 chalpopyrite with Curie point exceeded room temperature / Marenkin S.F., Novotortsev V.M., Fedorchenko I.V., Varnavskiy S.A., Koroleva L.I., Zashchirinskii D.M., Khapaeva T.M., Szymczak R., Krzymanska B., Dobrowolski V., Kilanski L. // Solid State Phenomena, Vol. 152-153 (2009), pp. 311-314
  30. Growth and magnetic properties of Mn-doped ZnSiAs2/Si heterostructures / Kochura A., Fedorchenko I., Laiho R., Lashkul A., Lahderanta E., Marenkin S., Zakharov I. // Physica Status Solidi C 6, №5, pp.1336-1338
  31. Manganese-doped ZnSiAs2 chalcopyrite: A new advanced material for spintronic / L.I. Koroleva, D.M. Zashchirinskii, T.M. Khapaeva, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko, R. Szymczak, B. Krzumanska, V.Dobrovolski, L. Kilanski // Physics of the solid state, Vol.51, No.2, pp.303-308
  32. Phase relations in the Si-ZnAs2 system in the range 45-100 mol.% ZnAs2 / S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko, G.G. Shabunina, T.A. Kupriyanova // Inorganic Materials, 2009, Vol.45, No.12, pp.1321-1325
  33. Magnetic and electrical properties of manganese-doped ZnSiAs2 / V.M. Novotortsev, S.F. Marenkin, L.I. Koroleva, T.A. Kupriyanova, I.V. Fedorchenko, R. Szymczak, L. Kilanski, V. Domuchowski, A.V. Kochura // Russian Journal of Inorganic Chemistry, 2009, Vol.54, No.9, pp.919-923.
ОБЪЯВЛЕНИЯ
Рассылка новостей