Дополнительные ссылки

Шелякин Алексей Алексеевич – кандидат технических наук, старший научный сотрудник
 
Шелякин Алексей Алексеевич – специалист в области технологии полупроводниковых материалов.
 
Закончил Московский институт стали и сплавов по специальности «инженер электронной техники». С 1976 года по 1991 год работал в НИИ «Полюс», занимался разработкой технологии полупроводниковых гетероструктур для приборов квантовой электроники. Внес большой вклад в развитие технологии отечественных полупроводниковых лазеров. Защитил кандидатскую диссертацию в 1984 г. Лауреат премии Ленинского комсомола в области науки и техники (1985 г.).  С 1991 г.  работает в ИОНХ РАН в должности старшего научного сотрудника.
 
Областью основных научных интересов Шелякина А.А. являются технологии полупроводниковых наноматериалов, включая многокомпонентные гетерострутуры на квантовых ямах. Кроме того, большой интерес представляют исследования в области синтеза материалов для приборов СВЧ диапазона.
 
А.А. Шелякиным выполнены  исследования в области   многокомпонентных твердых растворов полупроводниковых гетероструктур  на основе соединений А3В5, которые  легли в основу  технологии создания полупроводниковых лазеров и фотодиодов для телекоммуникационных применений. При его непосредственном участии, впервые получены наногетероструктуры, обеспечивающие создание лазеров и фотодиодов СВЧ - диапазона  телекоммуникационного назначения.
 
Научную деятельность Шелякин А.А. успешно сочетает с педагогической работой. Он ведет практические работы со студентами Российского Университета Дружбы Народов. При его непосредственном участии защищено более 20 дипломных работ по технологии создания наногетероструктур.
 
 
 
Основные научные труды:
 
Патенты
  1. Патент РФ  №   2008134701  "Полупроводниковый лазерный излучатель с полосой модуляции в СВЧ диапазоне». Васильев М.Г., Белкин М.Е., Шелякин А.А. Приоритет от 28.08.2008
  2. Пат. RU 2 421 857  С2  Полупроводниковый лазерный излучатель с полосой модуляции в СВЧ - диапазоне / Опубликован 20.06. 2011 . Бюл. № 17.  Васильев М.Г., Белкин М.Е., Шелякин А.А.; заявитель и патентообладатель МИРЭА. Опубликован 20.06. 2011 . Бюл.№ 17.
Статьи
  1. M. G. Vasil’ev, A. M. Vasil’ev, A. D. Izotov, and  A. A. Shelyakin. High_Temperature Buried InP/GaInAsP Heterostructure Laser Diode Emitting at 1310 nm// Inorganic Materials. 2014, Vol. 50, No. 9, pp. 888–891
  2.  Зарощенный лазерный диод с длиной волны излучения 1310 нм,  работающий в СВЧ - диапазоне./ М.Г. Васильев, А.М. Васильев,  А.Д. Изотов,  А.А. Шелякин,// Известия академии инженерных наук им. А.М. Прохорова. 2013. №2. С.23-30
  3. Технология и параметры зарощенного лазерного диода с длиной волны излучения 1310 нм, работающего в СВЧ – диапазоне./ М.Г. Васильев, А.М. Васильев,  А.Д. Изотов, Я.Г. Филатов, А.А. Шелякин,// Неорганические материалы, 2013, т. 49, №6, с. 8-16.
  4. Создание и исследование лазерного диода для удаленного определения концентрации метана. /М.Г. Васильев, А.М. Васильев,  А.Д. Изотов, А.А. Шелякин, // Неорганические материалы. – 2012. - №3. – c. 305-311
  5. High-Power InP/GaInAsP Buried Heterostructure Semiconductor Laser with a Modulation Band of up to 10 GHz /A.M. Vasiliev., A.A. Shelyakin// Inorganic materials. 2010. V.46 No. 9 pp.1021- 1026
  6. М.Е. Белкин, М.Г. Васильев, Э.А. Засовин, А.А. Шелякин. Критерии выбора лазерного излучателя для комбинированных систем радиолокации и связи СВЧ диапазона// Радиотехника, 2008, № 1, с. 71-77.
  7. Исследование технологии и разработка методов создания полупроводниковых приборно-ориентированных наногетероструктур высокоэффективных лазеров в спектральной области 1,3…1,5 мкм. Разработка технологии и изготовления и исследование экспериментальных образцов лазерных структур/ М.Г. Васильев, М.Е.Белкин, Е.Л. Портной, А.А. Шелякин // Отчет по Государственному контракту №02.513.113170 с Федеральным Агентством по № госрегистрации  07.02.007 05 163, июнь 2008 г. этап –3, с.1-160  
  8. Исследование технологии и разработка методов создания полупроводниковых приборно-ориентированных наногетероструктур высокоэффективных лазеров в спектральной области 1,3…1,5 мкм. Разработка технологии и изготовление и исследование экспериментальных образцов лазерных  лазерных излучателей. Обобщение результатов/ М.Г. Васильев, М.Е.Белкин, Е.Л. Портной, А.А. Шелякин // Отчет по Государственному контракту №02.513.113170 с Федеральным Агентством по № госрегистрации  07.02.007 05 163, октябрь 2008г этап –4, с.1-95  
  9. Васильев А.М., Вилк Д.М., Шелякин А.А. Получение гетероструктур InP/InGaAsP/InP методом жидкофазной эпитаксии и раздельное приготовление растворов-расплавов// Неорганические материалы. 2007, т. 43, №7, с. 775-780
  10. Васильев А.М., Вилк Д.М., Шелякин А.А. Получение и исследование одночастотного полупроводникового лазера.//«Фотон-экспресс» Наука 2006. №6 с.23-26.
  11. W. Luyiton, V.V. Volkov, S.Amelincks,  M.G. Vasiliev, A.A. Shelyakin, C. Ferauge, R. Gilbels.  Electron Microscopy and Mass-Spectrometry Study of InP/InGaAsP heterostructures (p-i-n) diodes Grown by LPE// Phys. Stat. Sol. (a), 1998, 140, p. 73 - 85.
  12. W. Luyiton, V.V.Volkov, S.Amelincks,  M.G. Vasiliev, A.A. Shelyakin, C. Ferauge, R. Gilbels. Electron Microscopy and Mass-Spectrometry Study of InP/InGaAsP Lasers Grown by LPE// Phys. Stat. Sol. (a), 1998, 140, p. 453-462
 
Участие в международных конференциях
  1. Design of Semiconductor Lasers with High Power-Bandwidth Product for Modern Telecom and Radar Systems/ M.E. Belkin, M.G. Vasilev , A.A. Shelyakin//Intern. Conf. "Laser Optics 2008", p.66, 2008, Jun. 23-28. St.- Peters., Russia
  2. W. Luyiton, V.V.Volkov, S.Amelincks, M.G. Vasiliev, A.A. Shelyakin, C. Ferauge, R. Gilbels. Electron Microscopy and Mass-Spectrometry Study of InP/InGaAsP heterostructures (p-i-n) diodes and  laser diodes Grown by LPE// Symposium Materials resarch society.,April, 4-8 , 1999, San Francisco, California, E 1.16. h. 38
ОБЪЯВЛЕНИЯ
Рассылка новостей