Дополнительные ссылки

Федорченко Ирина Валентиновна – кандидат химических наук, старший научный сотрудник
 
Федорченко Ирина Валентиновна закончила в 2004 году Московский государственный институт Стали и Сплавов (Технологический университет) (МИСиС ) по специальности «материалы и компоненты твердотельной электроники».
 
С 2003 года проходила практику в ИОНХ РАН. Дипломную работу на тему «Синтез антимонида никеля» выполнила в 2004 г. в Лаборатории термодинамических основ неорганического материаловедения ИОНХ РАН, под руководством проф. Маренкина С.Ф. В том же году поступила на очное отделение аспирантуры ИОНХ РАН. В 2008 г. защитила кандидатскую диссертацию на тему «Разбавленный магнитный полупроводник на основе ZnSiAs2».
 
С марта 2009 принята на должность научного сотрудника в Лабораторию термодинамических основ неорганического материаловедения.
 
Занимается изучением разбавленных магнитных полупроводников и гранулированных структур на основе полупроводников AIIBIVCV2, A3IIB2V, AIIIBV, A3VB2VI.
 
В 2014 году награждена премией Российской и Польской академии наук за цикл совместных работ «Разработка физико-химических основ технологии новых материалов для спинтроники» (в составе авторского коллектива 3 чел.).
 
Входит в состав редколлегии международного журнала Organo Opto-Electronics.
 
 
 
 
 
 
 
Основные печатные работы за последние 5 лет:
  1. S. F. Marenkin, A. D. Izotov, I. V. Fedorchenko, and V. M. Novotortsev. Manufacture of Magnetic Granular Structures in Semiconductor–Ferromagnet Systems//Russian Journal of Inorganic Chemistry, 2015, Vol. 60, No. 3, pp. 295–300.
  2. I.V. Fedorchenko, A.N. Aronov, L.Kilanski,  V. Domukhovski,  A. Reszka, B.J. Kowalski, E. Lahderanta, W. Dobrowolski, A.D. Izotov, S.F. Marenkin. Phase equilibria in the ZnGeAs2–CdGeAs2 system.// Journal of Alloys and Compounds. 2014, Vol. 599. P.121–126.
  3. L. Kilanski, C. Rauch, F. Tuomisto, A. Podgorni, E. Dynowska, W. Dobrowolski, I. V. Fedorchenko, and S. F. Marenkin. Point defects and p-type conductivity in Zn1–xMnxGeAs2.// Journal of Applied Physics. 116, 023501 (2014).
  4. L. Kilanski, M.Gorska, E.Dynovska, A.Podgorni, A.Avdonin, W.Dobrowolski, I.V.Fedorchenko, S.F.Marenkin. Homogeneous limit of Cd1− x Mn GeAs2 alloy: Electrical and magnetic properties.// Journal  of Applied Physics. 115, 133917 (2014).
  5. S. F. Marenkin, A. N. Aronov, V. M. Trukhan, T. V. Shelkovaya, I. V. Fedorchenko, V. Domuchovski, and E. Lahderanta. Phase Equilibria in the ZnGeAs2–CdGeAs2 System.// Russian Journal of Inorganic Chemistry. 2014, Vol. 59, No. 2, pp. 126–129.
  6. L. Kilanski, K. Szałowski, R. Szymczak, M. Górska, E. Dynowska, P. Aleshkevych, A. Podgórni, A. Avdonin, W. Dobrowolski, I. V. Fedorchenko, S. F. Marenkin, Low-dilution limit of Zn1−XMnXGeAs2: Electrical and magnetic properties // J. Appl. Phys. 114, 093908 (2013)
  7. Optical properties and plasmon – Two different phonons coupling in ZnGeAs2 + Mn / M. Romcevic, N. Romcevic, W. Dobrowolski, L. Kilanski, J. Trajic, D.V. Timotijevic,E. Dynowska, I.V. Fedorchenko, S.F. Marenkin, // Journal of Alloys and Compounds 548 (2013) 33–37. - ISSN: 0925-8388
  8. Магнитные и электрические свойства образцов Zn3P2+MnP /С.Ф. Маренкин, В.М. Трухан, И.В. Федорченко, С.В. Труханов, Т.В. Шелковая // Неогранические материалы, 2013, Т.49, №6, СС. 580-584. ISSN 0002-337X.
  9. Магнетизм полупроводников Cd(Zn)GeAs2, допированных 3-d  металлами / Кочура А.В., Иваненко С.В., Маренкин С.Ф., Федорченко И.В. // Известия ЮЗГУ. Серия Физика и химия. 2012. № 2, С.13, ISSN2223-1544
  10. Влияние преципитатов MnP на свойства композитных магнитных полупроводников на основе Zn3P2 и ZnGeP2 / Маренкин С.Ф., Кочура А.В., Иваненко С.В., Федорченко И.В. // Известия ЮЗГУ. Серия Физика и химия. 2012. № 2, С.95, ISSN2223-1544
  11. Advanced materials for spintronic based on Zn(Si,Ge)As2 chalcopyrites / I.V. Fedorchenko, A.V. Kochura, S.F. Marenkin, A.N. Aronov et al, // IEEE transactions on magnetics. – 2012. - Vol.48, № 4. April 2012. - P. 1581-1584. – ISSN 0018-9464.
  12. Электрические и магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Cd1-XMnXGeP2 и Cd1-XMnXGeAs2 при высоком давлении // А. Ю. Моллаев, И. К. Камилов, Р. К. Арсланов, В. М. Новоторцев, С. Ф. Маренкин, В. М. Трухан, Т. Р. Арсланов, У. З. Залибеков, И. В. Федорченко // Неорганические материалы. - 2012. - Т.48. - №9. С.990-994. ISSN 0002-337X.
  13. Электрические свойства n Cd1–ХCoХGeAs2 (x = 0.05–0.15) при высоких давлениях / А. Ю. Моллаев, Р. К. Арсланов, И. К. Камилов, В. М. Новоторцев, С. Ф. Маренкин, Р. Г. Джамамедов, П. П. Хохлачев, И. В. Федорченко.// Неогранические Материалы. - 2012. - Т.48. - № 11. - С. 1200–1204. ISSN 0002-337X.
  14. Электро- и магнетоперенос в разбавленном магнитном полупроводнике Cd0.81Mn0.19GeP2 при высоком давлении. / А.Ю. Моллаев, И.К. Камилов, Р.К. Арсланов, С.Ф. Маренкин, В.М. Трухан, Т.Р. Арсланов, У.З. Залибеков, И.В. Федорченко //Журнал неорганической химии. – 2012. – Т.57. - №7.- С. 1062-1065. - ISSN 0044-457X.
  15. Manganese-doped CdGeAs2, ZnGeAs2 and ZnSiAs2 chalcopyrites: A new materials for spintronic / L.I. Koroleva, D.M. Zashchirinskii, T.M. Khapaeva, A.I. Morozov, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko, R.Szymczak // Journal of magnetism and magnetic materials 323 (2011) 2923-2928. - ISSN: 0304-8853
  16. Paramagnetic regime in Zn1-XMnXGeAs2 diluted magnetic semiconductor / L. Kilanski, I. V. Fedorchenko, M. Górska, E. Dynowska, M. Wójcik, B. J. Kowalski, J. R. Anderson, C. R. Rotundu, S. A. Varnavskiy, W. Dobrowolski, S. F. Marenkin, // Physica status solidi (b), V.248> Issue7, p.1601-1604, 2011. - ISSN: 1521-3951
  17. Синтез и магнитные свойства эвтектики системы InSb-MnSb / В.М. Новоторцев, А.В. Кочура, С.Ф. Маренкин, И.В. Федорченко, С.В. Дрогунов, A. Lashkul, E. Lahderanta // ЖНХ 2011, Т56, №12, СС. 1-7. - ISSN 0044-457X.
  18. Влияние высоких давлений на электрические и магнитные свойства разбавленного магнитного полупроводника Cd0,82Mn0,18GeAs2/ Моллаев А.Ю., Камилов И.К., Маренкин С.Ф., Арсланов Р.К., Залибеков У.З., Арсланов Т.Р., Федорченко И.В. // Журнал неорганической химии. 2011. Т. 56. № 6. С. 980-983.
  19. Colossal linear magnetoresistance in a CdGeAs2:MnAs micro-composite ferromagnet / L. Kilanski, W. Dobrowolski, E. Dynowska, M. Wуjcik, B.J. Kowalski, N. Nedelko, A. Ślawska-Waniewska, D.K. Maude, S.A. Varnavskiy, I.V. Fedorchenko, S.F. Marenkin, // Solid State Communications 151 (2011) 870–873
  20. Объемная магнитострикция в разбавленном магнитном полупроводнике Cd1-XMnXGeAs(x=0,06-0,3) при высоких давлениях / Моллаев А.Ю., Камилов И.К., Арсланов Р.К., Новоторцев В.М., Маренкин С.Ф., Трухан В.М., Арсланов Т.Р., Залибеков У.З., Федорченко И.В. //Неорганические материалы. 2011. Т. 47. № 11. С. 1285-1288.
  21. Магнитные свойства ориентированных монокристаллов p-Cd0,947Mn0,053GeAs2 при давлении ниже 7 ГПа / Моллаев А.Ю., Камилов И.К., Арсланов Р.К., Новоторцев В.М., Маренкин С.Ф., Залибеков У.З., Арсланов Т.Р., Федорченко И.В. //Неорганические материалы. 2011. Т. 47. № 12. С. 1422.
  22. Магнитные свойства эвтектического сплава системы InSb-MnSb / Изотов А.Д., Маренкин С.Ф., Федорченко И.В., Румянцев А.С., Кочура А.В., Трухан В.М., Шелковая Т.В.// Перспективные материалы. 2011. № 11. С. 228-231.
  23. Manganese-doped CdGeAs2 and ZnSiAs2 chalcopyrites: new advanced materials for spintronics / A.S. Morozov, L.I. Koroleva, D.M. Zashchirinskii, T.M. Khapaeva, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko, R.Szymczak, B.Krzumanska // Solid State Phenomena, 2011, Vols.168-169, 2011, pp.31-34. - ISSN: 1662-9779
  24. Making ferromagnetic heterostructures Si/Zn(1-X)MnXSiAs2 and Ge/Zn(1-X)MnXGeAs2 / I.V. Fedorchenko, A.Rumiantsev, T. Kuprijanova, L.Kilanski, R.A.Szymczak, W.Dobrowolski, L.I.Koroleva // Solid State Phenomena, 2011, Vols.168-169, 2011, pp.313-316. - ISSN: 1662-9779
  25. Magnetism and magnetotransport of strongly disordered Zn1-XMnXGeAs2 semiconductor: The role of nanoscale magnetic clusters / L.Kilanski, R. Gorska, W. Dobrowolski, E. Dynowska , M. Wojcik, B.J. Kowalski, J.R. Anderson, C.R. Rotundu, D.K. Maude, S.A. Varnavskiy, I.V. Fedorchenko, S.F. Marenkin// Journal of Applied Physics 108, 073925 (2010) . - ISSN 1089-7550
  26. Physicochemical foundations of synthesis of the new ferromagnets form chalcopyrites AIIBIVCV2 / V.M. Novotortsev, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko, A.V. Kochura // Russian Journal of Inorganic Chemistry, 2010, Vol.55, No.11, pp.1762-1773
  27. Complex study of high temperature ferromagnetic semiconductor Cd0.82Mn0.18GeAs2 / A.Yu.Mollaev, I.K. Kamilov, R.K.Arslanov, T.R. Arslanov, U.Z.Zalibekov, V.M.Novotortsev, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko // Azerbaijan Journal of Physics, “Fizika”, Volume XVI, Number 2, June, 2010, pp.304. - ISSN 1028-8546
  28. Electrical properties of p-Zn1-XCdXGeAs2 / A.Yu. Mollaev, L.A. Saipulaeva, S.F. Marenkin, A.G. Alibekov, A.A. Abdullaev, I.V. Fedorchenko // Inorganic materials, V.46, No 4, pp.449-451
  29. Manganese doped CdGeAs2, ZnGeAs2 and ZnSiAs2 chalcopyrites: New materials for spintronics /L.I. Koroleva, D.M. Zashchirinskii, T.M. Khapaeva, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko, S.A. Varnavskii, R.Szymczak, B.Krzumanska //Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, 2010, Vol.74, No.10, pp.1348-1351
  30. High-pressure magnetic phase transition and galvanomagnetic effects in the high-temperature ferromagnet p- Cd0.7Mn0.3GeAs2 / A.Yu.Mollaev, I.K. Kamilov, S.F. Marenkin, R.K.Arslanov, U.Z.Zalibekov, T.R. Arslanov, A.A. Abdullaev, I.V. Fedorchenko //Inorganic materials, 2010, Vol.46, no.9, pp.919-923
ОБЪЯВЛЕНИЯ
Рассылка новостей